ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMSF7P03HDR2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MMSF7P03HDR2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MMSF7P03HDR2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.3A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1680 pF @ 24 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 75.8 nC @ 6 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMSF7P |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MMSF7P03HDR2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMSF7P03HDR2G | MMSF7P03HDR2 | MMSF7N03HDR2 | MMSF7N03HDR2 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Motorola | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 75.8 nC @ 6 V | 75.8 nC @ 6 V | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.3A, 10V | 35mOhm @ 5.3A, 10V | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1680 pF @ 24 V | 1680 pF @ 24 V | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMSF7P | MMSF7P | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| ชุด | - | - | * | * |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Ta) | 7A (Ta) | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MMSF7P03HDR2G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MMSF7P03HDR2G - onsemi
MMSS-02-24C-L-10.00-S-KSamtec, Inc.MMST2222AYangjie TechnologySOT-323 NPN 0.2W 0.6A 75V TransiMMSF7P03HDR2onsemiMOSFET P-CH 30V 7A 8SOICMMST2222A K3PCJ
MMSS8050-H-TPMicro Commercial CoTRANS NPN 25V 1.5A SOT23MMSS8550-L-TPMicro Commercial CoTRANS PNP 25V 1.5A SOT23MMSF60R580QTHMAGNACHIPMMSS8050-L-TPMicro Commercial CoTRANS NPN 25V 1.5A SOT23MMSF7N03HDR2MotorolaTRANS MOSFET N-CH 30V 8.2A 8-PINMMSS8550-H-TPMicro Commercial CoTRANS PNP 25V 1.5A SOT23MMSF60R580PTHMAGNACHIPMMSF7N03HDR2onsemiN-CHANNEL POWER MOSFETMMSF60R580PT MOSMAGNACHIPMMSF7N03ZR2GAMI Semiconductor/onsemiMMSP3P03HDR2MOTOROLAMMSF7N03HDR2GAMI Semiconductor/onsemiMMSF6N01HDVBSEMIMMSF60R580PTH60R580PSMAGNACHIP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที