ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MPF960
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MPF960 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MPF960
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 1A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 70 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MPF960 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MPF960
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MPF960 | TN5325N8-G | DMP1012UCB9-7 | IRLZ14PBF |
| ผู้ผลิต | onsemi | Microchip Technology | Diodes Incorporated | Vishay Siliconix |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-243AA | 9-UFBGA, WLBGA | TO-220-3 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 1mA | 2V @ 1mA | 1.1V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4V, 5V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MPF960 | TN5325 | DMP1012 | IRLZ14 |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 250 V | 8 V | 60 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 70 pF @ 25 V | 110 pF @ 25 V | 1060 pF @ 4 V | 400 pF @ 25 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) | 316mA (Tj) | 10A (Ta) | 10A (Tc) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 1A, 10V | 7Ohm @ 1A, 10V | 10mOhm @ 2A, 4.5V | 200mOhm @ 6A, 5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | 1.6W (Ta) | 890mW (Ta) | 43W (Tc) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | -6V | ±10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | TO-243AA (SOT-89) | U-WLB1515-9 | TO-220AB |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MPF960 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MPF960 - onsemi
MPF1-151-JTWRCDMPF39VF040-90-4C-NHSST
MPF100T-1FCSG325EMicrochip TechnologyIC FPGA 170 I/O 325FPGA
MPF5023AMBA0ESNXP USA Inc.POWER MANAGEMENT IC, PRE-PROG, 3MPF300T-1FCG484IAV99Microchip/MicrosemiMPF102onsemiAMP JFET UHF N-CHAN 25V TO-92TN5325N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 250V 316MA TO243AAMPF1-122-JTWRCDMPF02N60MTCMPF1-1202-DTWRCD
MPF7100BMBA0ESNXP USA Inc.PF7100 PMIC OTPMPF1-1202-FTWRCD
MPF8820AQC208ABIntelIC FPGA 208QFPMPF4392onsemiJFET N-CH 30V TO92DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9MPF4391MOTOROLAMPF39SF020-90-4C-NHSSTIRLZ14PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที