ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MPF960
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MPF960 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MPF960
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 1A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 70 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MPF960 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MPF960
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MPF960 | MPF300TS-FC484M | MPF5024AMBA0ES | MPF5024AVNA0ES |
| ผู้ผลิต | onsemi | Microsemi | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 1mA | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MPF960 | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 70 pF @ 25 V | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 1A, 10V | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MPF960 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MPF960 - onsemi
MPF300TS-FC484MMicrosemiMPF5024AMBA0ESNXP SemiconductorsMPF5024AVNA0ESNXP Semiconductors
MPF8820AQC208ABIntelIC FPGA 208QFPMPF300T-1FCG1152IMicrosemiMPF7100BMMA0ESNXP Semiconductors
MPF7100BMBA0ESNXP USA Inc.PF7100 PMIC OTPMPF300T-FCG484IMicrosemi
MPF4391MOTOROLAMPF5024AMMA0ESNXP SemiconductorsMPF7100BVMA1ESNXP SemiconductorsMPF39VF512-90-4C-NHSSTMPF39SF020-90-4C-NHSSTMPF300T-1FCG484IAV99Microchip/MicrosemiMPF4392onsemiJFET N-CH 30V TO92
MPF5023AMBA0ESNXP USA Inc.POWER MANAGEMENT IC, PRE-PROG, 3MPF39VF512-70-4C-NHSSTMPF39VF040-90-4C-NHSST| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที