ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MTD6N20ET4G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MTD6N20ET4G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MTD6N20ET4G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 3A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.75W (Ta), 50W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 480 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTD6N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MTD6N20ET4G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MTD6N20ET4G | MTD6N15T4G | MTD6N20ET4 | MTD6P10ET4 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 480 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 480 pF @ 25 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 3A, 10V | 300mOhm @ 3A, 10V | 700mOhm @ 3A, 10V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4.5V @ 1mA | 4V @ 250µA | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | DPAK | DPAK | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Tc) | 6A (Tc) | 6A (Tc) | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 150 V | 200 V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTD6N | MTD6N | MTD6N | MTD6P |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.75W (Ta), 50W (Tc) | 1.25W (Ta), 20W (Tc) | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MTD6N20ET4G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MTD6N20ET4G - onsemi
MTD972FMYSONMTD6N15T4GonsemiMOSFET N-CH 150V 6A DPAKMTD6N10T4AMI Semiconductor/onsemiMTD6N15T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N20ET4onsemiMOSFET N-CH 200V 6A DPAKMTD6N20EAMI Semiconductor/onsemiMTD971VMYSONMTD900FMYSONMTD907VMYSONMTD6N15 MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD803FMYSONMTD6P10ET4onsemiMOSFET POWER P-CH -100V 6A DPAKMTD6P10E MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N20E MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N10RLAMI Semiconductor/onsemiMTD6N15T4onsemiMOSFET N-CH 150V 6A DPAKMTD80N02 MOSAMI Semiconductor/onsemiMTD6N15AMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที