ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MTP20N15E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MTP20N15E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MTP20N15E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 10A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 112W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1627 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 55.9 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP20 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MTP20N15E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MTP20N15E | MTP1N60E | MTP20N15EG | MTP1N50E |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| ประเภท FET | N-Channel | - | N-Channel | - |
| ชุด | - | * | - | * |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 10A, 10V | - | 130mOhm @ 10A, 10V | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | - | 20A (Tc) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP20 | - | MTP20 | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | - | TO-220-3 | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±20V | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 10V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | - | TO-220 | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1627 pF @ 25 V | - | 1627 pF @ 25 V | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 112W (Tc) | - | 112W (Tc) | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 55.9 nC @ 10 V | - | 55.9 nC @ 10 V | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | - | 150 V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MTP20N15E PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MTP20N15E - onsemi
MTP2301S3-0-T1-GCYSTEKECMTP1N60EonsemiN-CHANNEL POWER MOSFETMTP20N50EAMI Semiconductor/onsemiMTP18N06LGAMI Semiconductor/onsemiMTP20-S1-CO2MEMSFRONMTP20N15EGonsemiMOSFET N-CH 150V 20A TO220ABMTP2301N3-0-T1-GCYSTEKECMTP20P06HDMOTMTP22N06LAMI Semiconductor/onsemiMTP20P06MOTOROLAMTP2301N3CYSTEKMTP1N50EonsemiN-CHANNEL POWER MOSFET
MTP16016Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleMTP20N06VonsemiN-CHANNEL POWER MOSFETMTP2010J3-0-T3-GCYSTECHMTP18N06LMOTOROLAMTP20N20EVBSEMIMTP2010J3CYSTECH| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที