ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MTP23P06V
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MTP23P06V คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MTP23P06V
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±15V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 11.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 90W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1620 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 23A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP23 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MTP23P06V
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MTP23P06V | MTP23P06VG | MTP2305N3 | MTP2317N3-R-T1-G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | CYSTEK | CYSTECH |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±15V | ±15V | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP23 | MTP23 | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 23A (Tc) | 23A (Tc) | - | - |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 90W (Tc) | 90W (Tc) | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1620 pF @ 25 V | 1620 pF @ 25 V | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 11.5A, 10V | 120mOhm @ 11.5A, 10V | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MTP23P06V PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MTP23P06V - onsemi
MTP2305N3CYSTEKMTP2317N3-R-T1-GCYSTECHMTP2611V8-0-T6-GCYSTECHMTP27N10EVBsemiMTP2328N3CYSTEKECMTP2305AN3-0-T1-GCYSTEKECMTP2603G6CYSTEKEC
MTP2955AMI Semiconductor/onsemiMTP27SF020-70-3C-PHMTPMTP2305N3-0-T1-GCYSTEKECMTP25N06VBSEMIMTP23P06VGonsemiMOSFET P-CH 60V 23A TO220ABMTP2603Q6CYSTEKECMTP2317N3-0-T1-GCYSTEKECMTP2311N3CYSTEKMTP2311AN3CYSTECHMTP2402Q8CYSTEKMTP2317N3CYSTEK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที