ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MTP2P50E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MTP2P50E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MTP2P50E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 1A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 75W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1183 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP2P |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MTP2P50E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MTP2P50E | MTP2P50EG | MTP2955V | MTP3055V |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1183 pF @ 25 V | 1183 pF @ 25 V | 770 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) | 2A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 75W (Tc) | 75W (Tc) | 60W (Tc) | 48W (Tc) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 500 V | 60 V | 60 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±15V | ±20V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 1A, 10V | 6Ohm @ 1A, 10V | 230mOhm @ 6A, 10V | 150mOhm @ 6A, 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP2P | MTP2P | MTP29 | MTP30 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MTP2P50E PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MTP2P50E - onsemi
MTP2N40EMTP2N50EVBsemi
MTP2N60EAMI Semiconductor/onsemi
MTP3055STMicroelectronics
MTP3055LEFairchild (onsemi)MTP2N50EGMOTOROLAMTP2P50EGonsemiMOSFET P-CH 500V 2A TO220ABMTP2955VonsemiMOSFET P-CH 60V 12A TO220ABMTP3055ESTMicroelectronicsMTP3001N3CYSTEKMTP2N50VBsemiMTP2P45MOTOROLAMTP3055VonsemiMOSFET N-CH 60V 12A TO220AB
MTP3055VLonsemiMOSFET N-CH 60V 12A TO220-3MTP2N20AMI Semiconductor/onsemiMTP3055VLFairchild SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 12A 3-PIN(MTP2P50VBSEMIMTP2P50EG MOSAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที