ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MTW32N20E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MTW32N20E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MTW32N20E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 16A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 180W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5000 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 32A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTW32 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MTW32N20E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MTW32N20E | MTW16N40E | MTW7N80E | MTW16N40E |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Motorola |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 180W (Tc) | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | - | - | - |
| ชุด | - | * | * | * |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 32A (Tc) | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTW32 | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 16A, 10V | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | - | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5000 pF @ 25 V | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MTW32N20E PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MTW32N20E - onsemi
MTW32N50EAMI Semiconductor/onsemiMTW14N50ENOIGBT ModuleMTW355MITMTW10N100EONsemiMTW8153QF-A0METALINKMTW8151QF-D1METALINKMTW2805SINTERPOIIGBT ModuleMTW16N40EonsemiN-CHANNEL POWER MOSFETMTW8152QF-AOMETALINKMTW32N25EAMI Semiconductor/onsemiMTW7N80EonsemiN-CHANNEL POWER MOSFETMTW8172LB-A0GMETALINKMTW8171LB-B0GMETALINKMTW45N10EMOTOROLAMTW16N40EMotorolaTRANS MOSFET N-CH 400V 16A 3-PINMTW20N50EAMI Semiconductor/onsemiMTW35N15EAMI Semiconductor/onsemiMTW8171LB-BOGMETALINK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที