ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUN5113T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MUN5113T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MUN5113T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-3 (SOT323) | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 47 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 202 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUN5113 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MUN5113T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUN5113T1G | MUN5112T1G | MUN5111T1G | MUN5113T1 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 47 kOhms | 22 kOhms | 10 kOhms | 47 kOhms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 202 mW | 202 mW | 202 mW | 202 mW |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUN5113 | MUN5112 | MUN5111 | MUN5113 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-3 (SOT323) | SC-70-3 (SOT323) | SC-70-3 (SOT323) | SC-70-3 (SOT323) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA |
| ชุด | - | - | - | - |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47 kOhms | 22 kOhms | 10 kOhms | 47 kOhms |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | 60 @ 5mA, 10V | 35 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MUN5113T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MUN5113T1G - onsemi
MUN5113T3AMI Semiconductor/onsemiMUN5112T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
MUN5114DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88MUN5111DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88MUN5111T1onsemiTRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323MUN5112DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88MUN5113DW1T1GonsemiTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363MUN5111T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3MUN5113DW1T1onsemiTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363MUN5115DWAMI Semiconductor/onsemiMUN5113T1onsemiTRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3MUN5114T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3MUN5115DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88MUN5112T1onsemiTRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323MUN5115AMI Semiconductor/onsemi
MUN5114RT1LRCMUN5115DW1T1AMI Semiconductor/onsemiMUN5114DW1T1onsemiTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที