ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUN5130T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MUN5130T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MUN5130T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-3 (SOT323) | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 1 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 1 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 202 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 3 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUN5130 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MUN5130T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUN5130T1G | MUN5115T1G | MUN5131T1 | MUN5132T1 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUN5130 | MUN5115 | MUN5131 | MUN5132 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 202 mW | 202 mW | 202 mW | 310 mW |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 1 kOhms | - | 2.2 kOhms | 4.7 kOhms |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 3 @ 5mA, 10V | 160 @ 5mA, 10V | 8 @ 5mA, 10V | 15 @ 5mA, 10V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-3 (SOT323) | SC-70-3 (SOT323) | SC-70-3 (SOT323) | SC-70-3 (SOT323) |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 1 kOhms | 10 kOhms | 2.2 kOhms | 4.7 kOhms |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 5mA, 10mA | 250mV @ 1mA, 10mA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MUN5130T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MUN5130T1G - onsemi
MUN5115T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
MUN5130DW1T1AMI Semiconductor/onsemiMUN5130T1AMI Semiconductor/onsemi
MUN5116DW1T1onsemiTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363MUN5116DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88MUN5131DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88MUN5130DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88MUN5115DW1T1AMI Semiconductor/onsemiMUN5132DW1T1AMI Semiconductor/onsemi
MUN5131DW1T1GRochester Electronics, LLCMUN5131 - DIGITAL BJT 2 PNP PRE-MUN5115DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88MUN5133DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88MUN5133DW1T1onsemiTRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363MUN5131T1onsemiTRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3MUN5115DWAMI Semiconductor/onsemiMUN5132T1onsemiTRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323MUN5132T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3MUN5131DW1T1AMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที