ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURD620CTT4G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MURD620CTT4G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MURD620CTT4G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 3A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURD620 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MURD620CTT4G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURD620CTT4G | MURD620CT | MURD620CTG | MURD620CT |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | onsemi |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 3A | 6A | 3A | 3A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 6 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| ชุด | SWITCHMODE™ | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURD620 | MURD620 | MURD620 | MURD62 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | D-PAK (TO-252AA) | DPAK | DPAK |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURD620CTT4G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MURD620CTT4G - onsemi
MURD620T4G U620TGAMI Semiconductor/onsemi
MURD620CTTRLPBFElectro-Films (EFI) / VishayMURD620CTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 6A DPAKMURD610CTT4GAMI Semiconductor/onsemiMURD620CTGonsemiDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAKMURD620CTTRPBFElectro-Films (EFI) / VishayMURD620CTonsemiDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
MURD620CT MOSIRMURD620T4GAMI Semiconductor/onsemiMURD620CT4GAMI Semiconductor/onsemiMURD860H-R/HLMURF1020SSGMURD550PFT4GonsemiDIODE GEN PURP 520V 5A DPAKMURD620CTT4AMI Semiconductor/onsemiMURD620CTPBFElectro-Films (EFI) / VishayMURD620TAMI Semiconductor/onsemiMURD620CTTRLVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAKMURD860TW| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที