ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURS105T3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MURS105T3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MURS105T3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURS105 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MURS105T3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURS105T3G | MURS110T3 | MURS120 | MURS105T3 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Diodes Incorporated | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 50 V | 2 µA @ 100 V | 2 µA @ 200 V | 2 µA @ 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 27pF @ 4V, 1MHz | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURS105 | MURS11 | - | MURS10 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 100 V | 200 V | 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 2A | 1A | 2A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | SMB | SMB | SMB |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 25 ns | 35 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | - | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURS105T3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MURS105T3G - onsemi
MURP40040CTDACOIGBT ModuleMURS110T3onsemiDIODE ULTRA FAST 1A 100V SMBMURP35050CTHFIGBT ModuleMURS120Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMB TR 3K
MURP40060CTAMI Semiconductor/onsemiIGBT ModuleMURS105T3onsemiDIODE GEN PURP 50V 2A SMBMURS120-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMBMURS115T3onsemiDIODE ULTRA FAST 1A 150V SMBMURP400100CTMOTOROLAIGBT ModuleMURP40030CTDACOIGBT ModuleMURP40020CTSMRIGBT ModuleMURP400200CTAMI Semiconductor/onsemiIGBT Module
MURS120SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 1A SMB
MURS120Yangjie TechnologySMA 200V 1.0A Diodes RectifierMURP40010CTAMI Semiconductor/onsemiIGBT ModuleMURS110T3GonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A SMBMURS1100T3GAMI Semiconductor/onsemiMURS115T3GonsemiDIODE GEN PURP 150V 2A SMB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที