ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURS160T3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MURS160T3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MURS160T3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURS160 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MURS160T3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURS160T3G | MURS160T3 | MURS205T3G | MURS160HE3_A/H |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | - | -60°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 1 A | 1.25 V @ 1 A | 940 mV @ 2 A | 1.25 V @ 1 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 2A | 2A | 2A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | SMB | SMB | DO-214AA (SMB) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 75 ns | 30 ns | 75 ns |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 50 V | 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 2 µA @ 50 V | 5 µA @ 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURS160 | MURS16 | MURS205 | MURS160 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURS160T3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MURS160T3G - onsemi
MURS160T3onsemiDIODE ULTRA FAST 1A 600V SMB
MURS205GS
MURS160-M3Electro-Films (EFI) / VishayMURS205T3GonsemiDIODE GEN PURP 50V 2A SMBMURS160HE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 2A DO214AAMURS220T3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A SMBMURS230T3GonsemiDIODE GEN PURP 300V 2A SMBMURS220T3onsemiDIODE ULTRA FAST 2A 200V SMBMURS160-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 2A DO214AAMURS160-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AAMURS160/5Electro-Films (EFI) / Vishay
MURS160-FLITEON
MURS240Yangjie TechnologySMB 400V 2.0A Diodes RectifierMURS210T3onsemiDIODE GEN PURP 100V 2A SMBMURS160-E3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 2A DO214AAMURS210T3GonsemiDIODE GEN PURP 100V 2A SMB
MURS215T3GAMI Semiconductor/onsemiMURS160-E3/58TElectro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที