ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURS360BT3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MURS360BT3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MURS360BT3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURS360 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MURS360BT3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURS360BT3G | MURS360-M3/57T | MURS360S-E3/52T | MURS360B |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Yangjie Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | DO-214AB (SMC) | DO-214AA (SMB) | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 3 A | 1.28 V @ 3 A | 1.45 V @ 3 A | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 1.5A | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURS360 | MURS360 | MURS360 | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 75 ns | 75 ns | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-214AB, SMC | DO-214AA, SMB | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURS360BT3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MURS360BT3G - onsemi
MURS360S-E3/52Electro-Films (EFI) / Vishay
MURS440GOOD-ARKMURS360HE3 A/HElectro-Films (EFI) / VishayMURS360-M3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMURS360-F1-3000
MURS360T3AMI Semiconductor/onsemiMURS360S-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AAMURS360BYangjie TechnologySMB 600V 3.0A Diodes RectifierMURS360S-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AAMURS360BGFIRST
MURS360BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 3A SMB TR 3KMURS360-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMURS360-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABMURS360-E3/9CTElectro-Films (EFI) / VishayMURS420LGE
MURS360B-FLITEON
MURS360T3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A SMCMURS360ST3GAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที