ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NBRS2H100T3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NBRS2H100T3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NBRS2H100T3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 790 mV @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 8 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NBRS2 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NBRS2H100T3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NBRS2H100T3G | MUR460 | RBR3MM30ATR | MUR110 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | Rohm Semiconductor | onsemi |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 790 mV @ 2 A | 1.28 V @ 4 A | 510 mV @ 3 A | 875 mV @ 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMB | DO-201AD | PMDU | Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | 150°C (Max) | -65°C ~ 175°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-201AD, Axial | SOD-123F | DO-204AL, DO-41, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 600 V | 30 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 8 µA @ 100 V | 10 µA @ 600 V | 100 µA @ 30 V | 2 µA @ 100 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 65pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 4A | 3A | 1A |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | SWITCHMODE™ |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NBRS2 | MUR460 | RBR3MM30 | MUR11 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Schottky | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NBRS2H100T3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NBRS2H100T3G - onsemi
NBR701819-303ACIRIGBT Module
NBR701819-2AWIXYS / LittelfuseIGBT Module
NBRS2H100T3G-IR01AMI Semiconductor/onsemiMUR460Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 4A DO201ADRBR3MM30ATRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDUMUR110onsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
B360A-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214ACNBR701818-2AWGENTRONTESTIGBT Module
CDBQR0140R-HFComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 100MA 0402NBRS2H100T3G-VF01ONsemi
MBRM130LT1onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITE
NBRD5H100T4GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 5A DPAK
B230-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 2A SMBNBRD5H100T4G-VF01ONsemi
SBR12A45SP5-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 12A POWERDI5
RB055LAM-40TRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTMS2AA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1.5A SMANBRB8H100T4GONsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที