ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NCP5183DR2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NCP5183DR2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NCP5183DR2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 9V ~ 18V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 12ns, 12ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.2V, 2.5V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 4.3A, 4.3A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NCP5183 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NCP5183DR2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NCP5183DR2G | NCP5181DR2G | NCP5181PG | NCP51705MNTXG |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | Independent | Independent | Single |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NCP5183 | NCP5181 | NCP5181 | NCP51705 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 24-VFQFN Exposed Pad |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.2V, 2.5V | 0.8V, 2.3V | 0.8V, 2.3V | 1.2V, 1.6V |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 4.3A, 4.3A | 1.4A, 2.2A | 1.4A, 2.2A | 6A, 6A |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 9V ~ 18V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 22V |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Low-Side |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | SiC MOSFET |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-PDIP | 24-QFN (4x4) |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 12ns, 12ns | 40ns, 20ns | 40ns, 20ns | 8ns, 8ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NCP5183DR2G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NCP5183DR2G - onsemi
NCP5181DR2GonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
NCP5201MNR2GonsemiIC REG CTRLR DDR 2OUT 18DFNNCP5208DR2GonsemiIC REG CTRLR DDR 2OUT 8SOICNCP5201MNonsemiIC REG CTRLR DDR 2OUT 18DFN
NCP51510MNTAGonsemiIC REG LDO DDR 1OUT 10DFNNCP5181PGonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPNCP5203MNR2onsemiIC REG CTRLR DDR 2OUT 18DFNNCP5208DR2onsemiIC REG CTRLR DDR 2OUT 8SOIC
NCP51510AMI Semiconductor/onsemiNCP51820AMNTWGONsemiNCP5203MNR2GonsemiIC REG CTRLR DDR 2OUT 18DFNNCP5208AMI Semiconductor/onsemi
NCP51530BMNTWGonsemiIC HALF BRIDGE DRIVER 2A 10DFNNCP5201MNR2onsemiIC REG CTRLR DDR 2OUT 18DFNNCP51530ADR2GONsemiNCP51705MNTXGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP5201AMI Semiconductor/onsemiNCP51530BDR2GonsemiIC HALF BRIDGE DRIVER 2A 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที