ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NCP5901BDR2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NCP5901BDR2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NCP5901BDR2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 13.2V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 16ns, 11ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1V, 2V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 35 V | |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | - | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Synchronous | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NCP5901 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NCP5901BDR2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NCP5901BDR2G | NCP5911MNTBG | NCP5901DR2G | NCP5901MNTBG |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | - | - | - | - |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 16ns, 11ns | 16ns, 11ns | 16ns, 11ns | 16ns, 11ns |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1V, 2V | 0.6V, 3.3V | 1V, 2V | 1V, 2V |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 2 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NCP5901 | NCP5911 | NCP5901 | NCP5901 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 150°C (TJ) | 0°C ~ 150°C (TJ) | 0°C ~ 150°C (TJ) | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-DFN (2x2) | 8-SOIC | 8-DFN (2x2) |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 35 V | - | 35 V | 35 V |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Synchronous |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-VFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-VFDFN Exposed Pad |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 13.2V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 13.2V | 4.5V ~ 13.2V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NCP5901BDR2G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NCP5901BDR2G - onsemi
NCP59151MN33TYGonsemiIC REG LINEAR 3.3V 1.5A 8DFN
NCP585DSN30T1GonsemiIC REG LINEAR 3V 300MA SOT23-5NCP585HSN10T1GonsemiIC REG LINEAR 1V 300MA SOT23-5NCP585HSN18T1GonsemiIC REG LINEAR 1.8V 300MA SOT23-5
NCP5901UTFGAMI Semiconductor/onsemiNCP5911MNTBGonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFNNCP5901AMI Semiconductor/onsemiNCP5901DR2GonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICNCP585HSN12T1GonsemiIC REG LINEAR 1.2V 300MA SOT23-5NCP585DSN33T1GonsemiIC REG LINEAR 3.3V 300MA SOT23-5NCP5901MNTBGonsemiBUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRINCP5900AMI Semiconductor/onsemiNCP59151DS50R4GONsemiNCP5901BMNTBGonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFNNCP590MNVVTAGonsemiIC REG LINEAR 3.3V/3.3V 8DFNNCP5890UTENFAMI Semiconductor/onsemiNCP5901DBR2GAMI Semiconductor/onsemiNCP5901BDRAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที