ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NDF05N50ZH
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Sanyo - NDF05N50ZH คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Sanyo - NDF05N50ZH
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 Full Pack | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 30W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 632 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.5A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Sanyo NDF05N50ZH
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NDF05N50ZH | NDF06N60ZH | NDF08N50ZH | NDF08N50ZG |
| ผู้ผลิต | Sanyo | Sanyo | onsemi | onsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 30W (Tc) | 31W (Tc) | 35W (Tc) | 35W (Tc) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 600 V | 500 V | 500 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | 31 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 632 pF @ 25 V | 923 pF @ 25 V | 1095 pF @ 25 V | 1095 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-2 Full Pack | TO-220FP |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V | 1.2Ohm @ 3A, 10V | 850mOhm @ 3.6A, 10V | 850mOhm @ 3.6A, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.5A (Ta) | 6A (Tj) | 8.5A (Tc) | 8.5A (Tc) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
NDF08N50ZG MOSAMI Semiconductor/onsemiNDF06N60ZHSanyoMOSFET N-CH 600V 6A TO220-3NDF08N50ZHonsemiMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FPNDF04N60ZG MOSAMI Semiconductor/onsemiNDF0527SMD SensorsNDF08N50ZGonsemiMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FPNDF03N60ZHonsemiMOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FPNDF05N50ZG MOSAMI Semiconductor/onsemiNDF06N62ZGonsemiMOSFET N-CH 620V 6A TO220FPNDF03N60ZGonsemiMOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FPNDF04N60ZGonsemiMOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FPNDF08N60ZHonsemiMOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FPNDF04N60ZHonsemiMOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FPNDF08N60ZGonsemiMOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FPNDF04N62ZGonsemiMOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FPNDF06N60ZGonsemiMOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FPNDF05N50ZGonsemiMOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FPNDF06N60ZHGAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที