ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NDP7060
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NDP7060 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NDP7060
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 40A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 150W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3600 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NDP706 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NDP7060
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NDP7060 | NDP7050 | NDPL180N10BG | NDP7060 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3600 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V | 6950 pF @ 50 V | 3600 pF @ 25 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V, 15V | 10V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 40A, 10V | 13mOhm @ 40A, 10V | 3mOhm @ 15V, 50A | 13mOhm @ 40A, 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | 115 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V | 115 nC @ 10 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 180A (Ta) | 75A (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | 2.1W (Ta), 200W (Tc) | 150W (Tc) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 1mA | 4V @ 250µA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NDP706 | NDP705 | NDPL18 | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 50 V | 100 V | 60 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NDP7060 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NDP7060 - onsemi
NDP7050onsemiMOSFET N-CH 50V 75A TO220-3
NDP7051LNSNDPL180N10BGonsemiMOSFET N-CH 100V 180A TO220-3NDP7052LFairchild (onsemi)NDP7060Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7NDP706BFSCNDP7052NSNDP7051NSNDP708AFSCNDP610BELFSCNDP7061Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 64A TO220-3NDP7060 MOSNSNDP6060LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4NDP705AENSNDP6060L MOSFairchild (onsemi)NDP7050Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 75A TO220-3NDP7061onsemiMOSFET N-CH 60V 64A TO220-3NDP606BFSC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที