ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NDS351N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NDS351N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NDS351N
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 500mW (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 140 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.1A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NDS351N
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NDS351N | NDS352AP | NDS351N | NDS351AN |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ชุด | - | - | - | PowerTrench® |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 140 pF @ 10 V | 135 pF @ 15 V | 140 pF @ 10 V | 145 pF @ 15 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.1A (Ta) | 900mA (Ta) | 1.1A (Ta) | 1.4A (Ta) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 10V | 300mOhm @ 1A, 10V | 160mOhm @ 1.4A, 10V | 160mOhm @ 1.4A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT-3 | SuperSOT-3 | SuperSOT-3 | SOT-23-3 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V | 3 nC @ 4.5 V | 3.5 nC @ 5 V | 1.8 nC @ 4.5 V |
NDS352APFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSINDS351AN_NLFairchild (onsemi)
NDS338PAMI Semiconductor/onsemiNDS351NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSINDS351AN MOSFairchild (onsemi)NDS352AP_NLFairchild (onsemi)NDS338P-NLFairchild (onsemi)NDS351Fairchild (onsemi)NDS351ANonsemiMOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3NDS351N-NLAMI Semiconductor/onsemiNDS351AN-NLAMI Semiconductor/onsemiNDS351N_NLFairchild (onsemi)NDS352AFSCNDS352AP MOSFairchild (onsemi)NDS351N MOSFairchild (onsemi)NDS352APonsemiMOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
NDS339AN-NLGC ElectronicsNDS352AP-NLFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที