ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NDT452P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NDT452P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NDT452P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 3A, 10V | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 525 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NDT452 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NDT452P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NDT452P | NDT454P | NDT451N | NDT451AN |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 3A, 10V | 50mOhm @ 5.9A, 10V | 50mOhm @ 5.5A, 10V | 35mOhm @ 7.2A, 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 2.7V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NDT452 | NDT454 | NDT451 | NDT451 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) | 5.9A (Ta) | 5.5A (Ta) | 7.2A (Ta) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 525 pF @ 10 V | 950 pF @ 15 V | 730 pF @ 10 V | 720 pF @ 15 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NDT452P PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NDT452P - onsemi
NDT452P MOSAMI Semiconductor/onsemiNDT454PFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5NDT453Fairchild (onsemi)NDT454P MOSFairchild (onsemi)NDT451NonsemiMOSFET N-CH 30V 5.5A SOT-223-4NDT451AFairchild (onsemi)NDT454Fairchild (onsemi)NDT451ANonsemiMOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4NDT452AP MOSFairchild (onsemi)NDT451AN-NLFairchild (onsemi)NDT454P-NLFairchild (onsemi)NDT454PonsemiMOSFET P-CH 30V 5.9A SOT223-4NDT453NonsemiMOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4NDT452AP-NLAMI Semiconductor/onsemiNDT452P-NLAMI Semiconductor/onsemiNDT452APonsemiMOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4NDT452APFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
NDT451AN MOSTexas Instruments| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที