ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NE5517DR2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NE5517DR2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NE5517DR2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 4 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 44 V | |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 400 µV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 16-SOIC | |
| อัตราสลูว์ | 50V/µs | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทขาออก | Push-Pull |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C | |
| จำนวนแผงวงจร | 2 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 2 MHz | |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 2.6mA | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 500 µA | |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 400 nA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NE5517 | |
| ประเภทเครื่องขยาย | Transconductance |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NE5517DR2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NE5517DR2G | NE5517D | NE5517AN | NE5517DG |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| อัตราสลูว์ | 50V/µs | 50V/µs | 50V/µs | 50V/µs |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 500 µA | 500 µA | 500 µA | 500 µA |
| ประเภทขาออก | Push-Pull | Push-Pull | Push-Pull | Push-Pull |
| ประเภทเครื่องขยาย | Transconductance | Transconductance | Transconductance | Transconductance |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NE5517 | NE5517 | NE5517 | NE5517 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 16-DIP (0.300", 7.62mm) | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 2.6mA | 2.6mA | 2.6mA | 2.6mA |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 400 µV | 400 µV | 400 µV | 400 µV |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 400 nA | 400 nA | 400 nA | 400 nA |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 44 V | 44 V | 44 V | 44 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C | 0°C ~ 70°C | 0°C ~ 70°C | 0°C ~ 70°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 16-SOIC | 16-SOIC | 16-PDIP | 16-SOIC |
| จำนวนแผงวงจร | 2 | 2 | 2 | 2 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NE5517DR2G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NE5517DR2G - onsemi
NE5520279A-T1-ANEC
NE5514DFreescale / NXP SemiconductorsNE5521DNOIGBT ModuleNE5517DonsemiIC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOICNE5512S
NE5512NLUMILEDSNE5520379ANECNE5512DLUMILEDS
NE5511279A-T1Renesas Electronics CorporationNE5520379A-T1NECNE5520FSNE5517ANonsemiIC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16DIPNE5520HEFNE5517DGonsemiIC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOICNE5514NLUMILEDSNE5517NonsemiIC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16DIPNE5520379A-ARenesas Electronics CorporationNE5517DR2onsemiIC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที