ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NGB8204NT4G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NGB8204NT4G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NGB8204NT4G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 430 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 4V, 15A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 115 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | Logic | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 50 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 18 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NGB820 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NGB8204NT4G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NGB8204NT4G | NGB8202ANT4G | NGB8207ABNT4G | NGB8204ANT4G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Littelfuse Inc. | Littelfuse Inc. | onsemi |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | -/5µs | - | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 50 A | 50 A | 50 A | 50 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 18 A | 20 A | 20 A | 18 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 115 W | 150 W | 165 W | 115 W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NGB820 | NGB8202 | NGB8207A | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| การสลับพลังงาน | - | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 4V, 15A | 1.9V @ 4.5V, 20A | 2.2V @ 3.7V, 10A | 2.5V @ 4V, 15A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Logic | Logic | Logic | Logic |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 430 V | 440 V | 365 V | 430 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ทดสอบสภาพ | - | 300V, 9A, 1kOhm, 5V | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NGB8204NT4G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NGB8204NT4G - onsemi
NGB8202ANT4GLittelfuse Inc.IGBT 440V 20A 150W D2PAKNGB8207ABNT4GLittelfuse Inc.IGBT 365V 20A D2PAKNGB8204ANT4GonsemiINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTONGB8207ABNT4GonsemiINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTONGB8206ANT4GonsemiIGBT, 20A, 390V, N-CHANNEL
NGB15N41CLT4onsemiIGBT 440V 15A 107W D2PAKNGB18N40CLBT4onsemiIGBT 430V 18A 115W D2PAKNGB8206ANT4GLittelfuse Inc.IGBT 390V 20A 150W D2PAK3NGB8206NTF4GonsemiINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTONGB8206NTF4GLittelfuse Inc.IGBT 390V 20A D2PAKNGB8207ANT4GonsemiIGBT 365V 20A 165W D2PAK3
NGB8202ANTF4GLittelfuse Inc.IGBT 440V 20A 150W D2PAKNGB8204ANT4GLittelfuse Inc.IGBT 430V 18A D2PAKNGB8202NT4GonsemiIGBT 440V 20A 150W D2PAKNGB15N41CLT4GonsemiIGBT N-CHAN 15A 410V D2PAKNGB8206NGonsemiIGBT 390V 20A 150W D2PAKNGB8206NT4GonsemiIGNITION IGBT 20 A, 350 V, N-CHANGB8206NT4GLittelfuse Inc.IGBT 390V 20A D2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที