ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NHPD660T4G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NHPD660T4G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NHPD660T4G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3 V @ 6 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 30 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NHPD660 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NHPD660T4G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NHPD660T4G | NHPV15S600G | NHP220SFT3G | JANTXV1N5822 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Microchip Technology |
| ชุด | - | - | - | Military, MIL-PRF-19500/620 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | TO-220-2 | SOD-123FL | B, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A | 15A | 2A | 3A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | 50 ns | 50 ns | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-2 | SOD-123F | B, Axial |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 30 µA @ 600 V | 60 µA @ 600 V | 500 nA @ 200 V | 100 µA @ 40 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 200 V | 40 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 125°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NHPD660 | NHPV15 | NHP220 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3 V @ 6 A | 3.2 V @ 15 A | 1.05 V @ 2 A | 500 mV @ 3 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NHPD660T4G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NHPD660T4G - onsemi
NHPXA270C5E312Marvell Semiconductor, Inc.NHPV15S600GonsemiDIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2NHP220SFT3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A SOD123FLNHPXA270C5E416Marvell Semiconductor, Inc.NHPA320T3GAMI Semiconductor/onsemiJANTXV1N5822Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B AXIAL
NHPXA270C5E520AMD XilinxNHP140SFT3GonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FLNHPXA270C5NNHP120SFT3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FLNHPXA270C5C520MARVELLASIANHPAF220T3GAMI Semiconductor/onsemi
MURS210T3onsemiDIODE GEN PURP 100V 2A SMB
NHPXA270C5C312IntelNHPV08S600GonsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2NHPXA270C5c416Marvell Semiconductor, Inc.NHPXA270C520Marvell Semiconductor, Inc.NHPAF320T3GAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที