ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NRTS860PFST3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NRTS860PFST3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NRTS860PFST3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 640 mV @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-277-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-277, 3-PowerDFN |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 70 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 870pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NRTS860 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NRTS860PFST3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NRTS860PFST3G | NRTS8100PFST3G | 30WQ06FN | SKR240/16 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | SMC Diode Solutions | Solid State Inc. |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 180°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 870pF @ 1V, 1MHz | 660pF @ 1V, 1MHz | 145pF @ 5V, 1MHz | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 100 V | 60 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-277-3 | TO-277-3 | DPAK | DO-205AB (DO-9) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 70 µA @ 60 V | 100 µA @ 100 V | 2 mA @ 60 V | 60 mA @ 1600 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 640 mV @ 8 A | 820 mV @ 8 A | 610 mV @ 3 A | 1.4 V @ 240 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-277, 3-PowerDFN | TO-277, 3-PowerDFN | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-205AB, DO-9, Stud |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NRTS860 | NRTS8100 | 30WQ | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NRTS860PFST3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NRTS860PFST3G - onsemi
NRTS8100PFST3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277-330WQ06FNSMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V DPAKSKR240/16Solid State Inc.DIODE GEN PURP DO205ABNRTST30H120CTGAMI Semiconductor/onsemiNRT16-00NRTIGBT ModuleNRTVTSA4100T3GAMI Semiconductor/onsemiNRTS10100PFST3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277-3
SK320ASMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 200V 3A SMA
1N4942Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
NRTST40H100CTGonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220ABNRTSV20H100CTGonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220NRTS1260PFST3GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277-3NRTSV30H120CTGonsemiDIODE SCHOTTKY 120V 7.5A TO220
1N4002GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 1A DO41NRTS1060PFST3GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277-3NRTS1560PFST3GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277-3NRTS15100PFST3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277-3NRTS12100PFST3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที