ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NRVUD550PFT4G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NRVUD550PFT4G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NRVUD550PFT4G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 520 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 95 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 520 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NRVUD550 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NRVUD550PFT4G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NRVUD550PFT4G | NRVUS1FFA | NRVUS120VT3G | NRVUD320VT4G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 520 V | 300 V | 200 V | 200 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 520 V | 5 µA @ 300 V | 2 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 5 A | 950 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 950 mV @ 3 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NRVUD550 | NRVUS1 | NRVUS120 | NRVUD320 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | SOD-123F | DO-214AA, SMB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 20pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 95 ns | 50 ns | 35 ns | 35 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | 1A | 2A | 3A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | SOD-123FL | SMB | DPAK |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NRVUD550PFT4G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NRVUD550PFT4G - onsemi
NRVUS1FFAonsemiDIODE GEN PURP 300V 1A SOD123FLNRVUS120VT3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A SMB
NRVUB1620CTT4GonsemiDIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK-3NRVUD320VT4GonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DPAK
NRVUA210VT3GonsemiDIODE GEN PURP 100V 2A SMANRVUHS160VT3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SMBNRVUA160VT3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 2A SMANRVUD340T4GonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A DPAK
NRVUB1660CTT4GonsemiDIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAKNRVUS160VT3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 2A SMBNRVUS1JFAonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FLNRVUD620CTT4GonsemiDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAKNRVUD320W1T4GonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DPAKNRVUS1DFAonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FLNRVUS1KFAonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FLNRVUS110VT3GonsemiDIODE GEN PURP 100V 2A SMBNRVUA220VT3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A SMANRVUD340T4G-VF01onsemiDIODE GEN PURP 400V 3A DPAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที