ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSB9435T1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSB9435T1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSB9435T1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 210mV @ 20mA, 800mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 10 kOhms | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 3 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 110 MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 125 @ 800mA, 1V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSB9435 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSB9435T1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSB9435T1 | NSB9435T1G | NSB9435T1G | NSBA123JDXV6T1 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Rochester Electronics, LLC | onsemi |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 10 kOhms | 10 kOhms | - | 2.2kOhms |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 125 @ 800mA, 1V | 125 @ 800mA, 1V | - | 80 @ 5mA, 10V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | SOT-223 (TO-261) | - | SOT-563 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 3 W | 720 mW | - | 500mW |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 210mV @ 20mA, 800mA | 550mV @ 300mA, 3A | - | 250mV @ 300µA, 10mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | 3 A | - | 100mA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | 30 V | - | 50V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 110 MHz | 110 MHz | - | - |
| ชุด | - | - | * | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | - | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | - | SOT-563, SOT-666 |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | - | - | 500nA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSB9435 | NSB9435 | - | NSBA123 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSB9435T1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSB9435T1 - onsemi
NSB9435T1GRochester Electronics, LLCNSB9435 - DIGITAL BJT PNP - PRE-NSBA123JDXV6T1onsemiTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563NSBA123JDXV6T5onsemiTRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563NSBA123JDXV6T1GonsemiTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO263ABNSBA114YDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563NSBA114EDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA114EDP6T5GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963NSB9435T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
NSB4904DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88NSBA115EDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563NSBA114YDXV6T1GRochester Electronics, LLCNSBA114YDXV6 - DIGITAL BJT 2 PNPNSBA115EDXV6T1GRochester Electronics, LLCNSBA115EDXV6 - DIGITAL BJT 2 PNP
NSB1706DMW5T1GonsemiTRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70NSBA114YDXV6T1onsemiTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563NSB8DT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
NSBA114EDXV6T1onsemiSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
NSB12ANT3GLittelfuse Inc.TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที