ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSS30100LT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSS30100LT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSS30100LT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 650mV @ 200mA, 2A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 310 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 500mA, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSS30100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSS30100LT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSS30100LT1G | NSS20500UW3TBG | NSS20600CF8T1G | NSS20500UW3T2G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 310 mW | 875 mW | 830 mW | 875 mW |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 650mV @ 200mA, 2A | 260mV @ 400mA, 4A | 200mV @ 400mA, 4A | 260mV @ 400mA, 4A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | PNP | PNP | PNP |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 500mA, 2V | 200 @ 2A, 2V | 220 @ 1A, 2V | 200 @ 2A, 2V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | 5 A | 6 A | 5 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3-WDFN Exposed Pad | 8-SMD, Flat Lead | 3-WDFN Exposed Pad |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSS30100 | NSS20500 | NSS206 | NSS20500 |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | 100MHz | 100MHz | 100MHz |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | 3-WDFN (2x2) | ChipFET™ | 3-WDFN (2x2) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSS30100LT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSS30100LT1G - onsemi
NSS20500UW3TBGonsemiTRANS PNP 20V 5A 3WDFNNSS20600CF8T1GonsemiTRANS PNP 20V 6A CHIPFETNSS20500UW3T2GonsemiTRANS PNP 20V 5A 3WDFN
NSS30070MR6T1GonsemiTRANS PNP 30V 0.7A SC74NSS30071MR6T1GonsemiTRANS NPN 30V 0.7A SC74NSS35200CF8T1GSanyoTRANS PNP 35V 2A CHIPFET
NSS35200MR6T1GonsemiTRANS PNP 35V 2A 6TSOPNSS30201MR6T1GonsemiTRANS NPN 30V 2A 6TSOPNSS40300AMI Semiconductor/onsemiNSS40200LT1GonsemiTRANS PNP 40V 2A SOT23-3NSS30101LT1GonsemiTRANS NPN 30V 1A SOT23-3NSS20501UW3T2GonsemiTRANS NPN 20V 5A 3WDFNNSS40201LT1GonsemiTRANS NPN 40V 2A SOT23-3
NSS40200UW6T1GonsemiTRANS PNP 40V 2A 6WDFN
NSS40300DDR2GonsemiTRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
NSS30071MR6T1GRochester Electronics, LLCNSS30071MR6 - TRANS BJTS NPN 30VNSS20500UM3T2GNSS20601CF8T1GonsemiTRANS NPN 20V 6A CHIPFET| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที