ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSS60100DMTTBG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSS60100DMTTBG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSS60100DMTTBG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 1A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | 2 PNP (Dual) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-WDFN (2x2) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2.27W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-WDFN Exposed Pad |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 155MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 120 @ 500mA, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSS60100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSS60100DMTTBG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSS60100DMTTBG | NSS60101DMTTBG | NSS60101DMTTBG | NSS40301MDR2G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 155MHz | 180MHz | 180MHz | 100MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | 2 PNP (Dual) | 2 NPN (Dual) | 2 NPN (Dual) | 2 NPN (Dual) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-WDFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) | 8-SOIC |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 120 @ 500mA, 2V | 120 @ 500mA, 2V | 120 @ 500mA, 2V | 180 @ 1A, 2V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1A | 1A | 1A | 3A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2.27W | 2.27W | 2.27W | 653mW |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60V | 60V | 60V | 40V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 1A | 180mV @ 100mA, 1A | 180mV @ 100mA, 1A | 115mV @ 200mA, 2A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSS60100 | NSS60101 | NSS60101 | NSS40301 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSS60100DMTTBG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSS60100DMTTBG - onsemi
NSS60601MZ4T3GonsemiTRANS NPN 60V 6A SOT223NSS60600MZ4T3GonsemiTRANS PNP 60V 6A SOT223
NSS40500UW3T2GonsemiTRANS PNP 40V 5A 3WDFNNSS60101DMTTBGonsemiTRANS 2NPN 60V 1A 6WDFNNSS60601MZ4T1GonsemiTRANS NPN 60V 6A SOT223NSS60101DMTTBGFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORNSS60600MZ4T1GonsemiTRANS PNP 60V 6A SOT223
NSSB426CTNICHIA
NSS60200LT1GonsemiTRANS PNP 60V 2A SOT23-3NSS40301MDR2GonsemiTRANS 2NPN 40V 3A 8SOICNSS40301MZ4T1GonsemiTRANS NPN 40V 3A SOT223NSS506-212F-KKKG1TNSS40302PDR2GonsemiTRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOICNSS40301MZ4T3GonsemiTRANS NPN 40V 3A SOT223NSS40600CF8T1GRochester Electronics, LLCNSS40600CF8 - TRANS BJTS PNP 40V
NSS40600CF8T1GonsemiTRANS PNP 40V 6A CHIPFETNSS60601MZ4AMI Semiconductor/onsemiNSS60201LT1GonsemiTRANS NPN 60V 2A SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที