ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSTB60BDW1T1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSTB60BDW1T1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSTB60BDW1T1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 22kOhms | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 140MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 150mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSTB60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSTB60BDW1T1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSTB60BDW1T1 | NSTB1002DXV5T1 | NSTB1004DXV5T1G | NST86-DSCR |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | NOVOSENSE |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250mW | 500mW | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 150mA | 100mA, 200mA | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSTB60 | NSTB10 | NSTB10 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-553 | SOT-553 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47kOhms | 47kOhms | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V | - | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA | 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50V | 50V, 40V | - | - |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 22kOhms | 47kOhms | - | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 140MHz | 250MHz | - | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-88/SC70-6/SOT-363 | SOT-553 | SOT-553 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSTB60BDW1T1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSTB60BDW1T1 - onsemi
NST86-DSCRNOVOSENSE
NST3946DXV6T1GonsemiTRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
NST3946DP6T5GonsemiTRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963
NST857BDP6T5GonsemiTRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963NST45010MW6T1GonsemiTRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6NSTB1002DXV5T1onsemiTRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55NSTB1004DXV5T1GonsemiTRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
NST846BF3T5GonsemiTRANS NPN 65V 0.1A SOT1123NST3946DXV6T5GonsemiTRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
NST489AMT1GonsemiTRANS NPN 30V 2A 6TSOPNSTB1005DXV5T1GonsemiTRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553NST847BF3T5GonsemiTRANS NPN 45V 0.1A SOT1123
NSTR4501NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3NSTR4501NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNST65010MW6T1GonsemiTRANS 2PNP 65V 0.1A SC88NST45011MW6T1GonsemiTRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6NST847BDP6T5GonsemiTRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963NST847BPDP6T5GONsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที