ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSV1C201MZ4T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSV1C201MZ4T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSV1C201MZ4T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 180mV @ 200mA, 2A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 120 @ 500mA, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSV1C201 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSV1C201MZ4T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSV1C201MZ4T1G | NSV12200LT1G | NSV1C300ET4G | NSV40200LT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | 540 mW | 2.1 W | 460 mW |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | 100MHz | 100MHz | 100MHz |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 120 @ 500mA, 2V | 250 @ 500mA, 2V | 120 @ 1A, 2V | 220 @ 500mA, 2V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | 2 A | 3 A | 2 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | SOT-23-3 (TO-236) | DPAK | SOT-23-3 (TO-236) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | PNP | PNP | PNP |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | 12 V | 100 V | 40 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSV1C201 | NSV12200 | NSV1C300 | NSV40200 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 180mV @ 200mA, 2A | 180mV @ 200mA, 2A | 400mV @ 300mA, 3A | 170mV @ 200mA, 2A |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSV1C201MZ4T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSV1C201MZ4T1G - onsemi
NSV12200LT1GonsemiTRANS PNP 12V 2A SOT23-3NSV1C300ET4GonsemiTRANS PNP 100V 3A DPAKNSV40200LT1GonsemiTRANS PNP 40V 2A SOT23-3
NSV1SS400T1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523NSV20201LT1GonsemiTRANS NPN 20V 2A SOT23-3NSV40300MZ4T1GonsemiTRANS PNP 40V 3A SOT223NSV1C300ET4G-VF01onsemiTRANS PNP 100V 3A DPAKNSV1C301ET4G-VF01onsemiTRANS NPN 100V 3A DPAK
NSV12201LT1GAMI Semiconductor/onsemiNSV30100LT1GonsemiNSV30100 - LOW VCE(SAT) TRANSISTNSV1C201LT1GonsemiTRANS NPN 100V 2A SOT23-3
NSV12100XV6T1GonsemiTRANS PNP 12V 1A SOT563NSV20200LT1GonsemiTRANS PNP 20V 2A SOT23-3NSV1C200MZ4T1GonsemiTRANS PNP 100V 2A SOT223NSV1C301ET4GonsemiTRANS NPN 100V 3A DPAKNSV40201LT1GonsemiTRANS NPN 40V 2A SOT23-3NSV40301MZ4T1GonsemiTRANS NPN 40V 3A SOT223NSV1C200LT1GonsemiTRANS PNP 100V 2A SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที