ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSVBAS21AHT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSVBAS21AHT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSVBAS21AHT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-323 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-76, SOD-323 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 40 nA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSVBAS21 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSVBAS21AHT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSVBAS21AHT1G | NSVBAT54M3T5G | NSVBAS21HT3G | NSVBAS21HT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 40 nA @ 200 V | 2 µA @ 25 V | 100 nA @ 200 V | 100 nA @ 200 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 5 ns | 50 ns | 50 ns |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | 10pF @ 1V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 200mA | 200mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-76, SOD-323 | SOT-723 | SC-76, SOD-323 | SC-76, SOD-323 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 mA | 800 mV @ 100 mA | 1.25 V @ 200 mA | 1.25 V @ 200 mA |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSVBAS21 | NSVBAT54 | NSVBAS21 | NSVBAS21 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 30 V | 250 V | 250 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-323 | SOT-723 | SOD-323 | SOD-323 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSVBAS21AHT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSVBAS21AHT1G - onsemi
NSVBAT54HT1GRochester Electronics, LLCNSVBAT54H - SCHOTTKY BARRIER DIO
NSVBA114YDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563NSVBAT54M3T5GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
NSVBAS21TMR6T2GonsemiDIODE SWITCHING 250V SC-74
NSV60601MZ4T1GonsemiTRANS NPN 60V 6A SOT223NSVBAS21HT3GonsemiDIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323NSVBAS21HT1GonsemiDIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323NSVA279JRC
NSVBAS21SLT1GonsemiDIODE GP 250V 225MA SOT23-3NSVBAT54HT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323NSVBAS21TMR6T1GonsemiDIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74NSVB143ZPDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563NSVBA143ZDXV6T1GonsemiTRANS 2PNP BIPO 60V SOT564NSVBAS21M3T5GonsemiDIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
NSVBAS70LT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3
NSV9435T1GonsemiPNP BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (NSV60601MZ4T3GonsemiTRANS NPN 60V 6A SOT223NSVA278JRC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที