ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSVDTA114EET1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSVDTA114EET1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSVDTA114EET1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 10 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 10 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 35 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSVDTA114 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSVDTA114EET1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSVDTA114EET1G | NSVDTA123JM3T5G | NSVDTA115EET1G | NSVDTA144EET1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | SOT-723 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 10 kOhms | 2.2 kOhms | 100 kOhms | 47 kOhms |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 35 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | 260 mW | 200 mW | 200 mW |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 10 kOhms | 47 kOhms | 100 kOhms | 47 kOhms |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | SOT-723 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSVDTA114 | NSVDTA123 | NSVDTA115 | NSVDTA144 |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSVDTA114EET1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSVDTA114EET1G - onsemi
NSVDTA123JM3T5GonsemiTRANS SS SOT723 BR XSTR PNPNSVDTA115EET1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
NSVBCW68GLT1GonsemiTRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
NSVD2004ML2T1AMI Semiconductor/onsemiNSVDAN222T1GonsemiDIODE SW 80V DUAL SC75-3NSVJ2394SA3AMI Semiconductor/onsemi
NSVBCP69T1GonsemiTRANS PNP 20V 1A SOT223
NSVD4001DR2GonsemiIC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
NSVMBD770DW1T1GonsemiDIODE SCHOTTKY 70V 100MA SC88NSVDTA144EET1GonsemiTRANS PNP 50V SC75
NSVF2250WT1GonsemiRF TRANS NPN 15V SC70-3NSVDTA143ZET1GonsemiTRANS PNP 50V BIPOLAR SC75-3
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3NSVD2004ML2T1GAMI Semiconductor/onsemiNSVDTC123EM3T5GonsemiNSVDTC123EM3 - NPN BIPOLAR DIGITNSVBCP56-10T3GonsemiTRANS NPN 80V 1A SOT223NSVBCP53-16T3GonsemiTRANS PNP 80V 1.5A SOT223NSVBC858BLT1GonsemiTRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที