ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSVMMUN2112LT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSVMMUN2112LT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSVMMUN2112LT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 22 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 22 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 246 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSVMMUN2112 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSVMMUN2112LT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSVMMUN2112LT1G | NSVMMUN2133LT1G | NSVMMUN2232LT1G | NSVMMUN2235LT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 1mA, 10mA | 250mV @ 1mA, 10mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSVMMUN2112 | NSVMMUN2133 | NSVMMUN2232 | NSVMMUN2235 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 246 mW | 246 mW | 246 mW | 246 mW |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 22 kOhms | 4.7 kOhms | 4.7 kOhms | 2.2 kOhms |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 22 kOhms | 47 kOhms | 4.7 kOhms | 47 kOhms |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V | 15 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSVMMUN2112LT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSVMMUN2112LT1G - onsemi
NSVMMBT5401WT1GonsemiTRANS PNP 150V 0.5A SC70-3NSVMMUN2133LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23NSVMMUN2232LT1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3NSVMSD42WT1GonsemiTRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
NSVMMBT4401WT1GonsemiTRANS NPN 40V BIPOLAR SC70-3NSVMMUN2235LT1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3NSVMMBT6520LT1GonsemiTRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3NSVMMUN2136LT1GonsemiTRANS PNP BIPOLAR SOT23NSVMMBTH10LT1GonsemiRF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23NSVMMBT5401LT3GonsemiTRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3NSVMMBTA05LT1GonsemiTRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3NSVMMUN2212LT1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3NSVMMBT6429LT1GonsemiTRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
NSVMUN2212T1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3NSVMMBT589LT1GonsemiTRANS PNP 30V 1A SOT23-3NSVMUN2237T1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59
NSVMMBT3906TT1GonsemiTRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416NSVMUN2112T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที