ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSVMUN2212T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSVMUN2212T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSVMUN2212T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-59 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 22 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 22 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 230 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSVMUN2212 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSVMUN2212T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSVMUN2212T1G | NSVMMUN2235LT1G | NSVMMUN2112LT1G | NSVMMUN2133LT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 230 mW | 246 mW | 246 mW | 246 mW |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-59 | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSVMUN2212 | NSVMMUN2235 | NSVMMUN2112 | NSVMMUN2133 |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 22 kOhms | 2.2 kOhms | 22 kOhms | 4.7 kOhms |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 22 kOhms | 47 kOhms | 22 kOhms | 47 kOhms |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 1mA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V | 60 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSVMUN2212T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSVMUN2212T1G - onsemi
NSVMMBTH10LT1GonsemiRF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23NSVMMUN2235LT1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3NSVMMUN2112LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23NSVMMUN2133LT1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
NSVMUN5132T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
NSVMUN5214DW1T3GonsemiTRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6NSVMUN5211DW1T3GonsemiTRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88NSVMUN5212DW1T1GonsemiTRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363NSVMUN5233DW1T3GonsemiTRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6NSVMUN2112T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3NSVMUN5111DW1T3GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88NSVMMUN2212LT1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3NSVMMUN2136LT1GonsemiTRANS PNP BIPOLAR SOT23NSVMUN5137DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88NSVMSD42WT1GonsemiTRANS NPN 300V 0.15A SC70-3NSVMUN5213DW1T3GonsemiTRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6NSVMUN2237T1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59NSVMMUN2232LT1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที