ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTA4015NT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTA4015NT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTA4015NT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 100µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300mW (Tj) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 20 pF @ 5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 238mA (Tj) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTA4015NT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTA4015NT1G | NTA4153NT1G | NTA4151PT1H | NTA4151PT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300mW (Tj) | 300mW (Tj) | 301mW (Tj) | 301mW (Tj) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 238mA (Tj) | 915mA (Ta) | 760mA (Tj) | 760mA (Tj) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 20 pF @ 5 V | 110 pF @ 16 V | 156 pF @ 5 V | 156 pF @ 5 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4.5V | 230mOhm @ 600mA, 4.5V | 360mOhm @ 350mA, 4.5V | 360mOhm @ 350mA, 4.5V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 100µA | 1.1V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | ±6V | ±6V | ±6V |
NTA4153NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 915MA SC75NTA4151PT1HonsemiMOSFET P-CH 20V 760MA SC75
NTA1209MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-9V 1WNTA1212MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-12V 1WNTA0515MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-15V 1WNTA4151PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 760MA SC75NTA4153NT1onsemiMOSFET N-CH 20V 915MA SC75NTA4151PT1onsemiMOSFET P-CH 20V 760MA SC75
NTA4151AMI Semiconductor/onsemiNTA1205MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-5V 1WNTA4001NT1onsemiMOSFET N-CH 20V 238MA SC75NTA1215MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-15V 1WNTA4001NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 238MA SC75NTA415PT1G1AMI Semiconductor/onsemiNTA0512MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-12V 1WNTA4153T1GAMI Semiconductor/onsemiNTA4153NT1G-001onsemiNTA4153NT1G-001NTA091XNICHTEK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที