ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTB90N02G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTB90N02G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTB90N02G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 90A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 85W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2120 pF @ 20 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 24 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 90A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTB90 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTB90N02G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTB90N02G | NTB90N02 | NTB90N02T4G | NTB85N03T4 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | D²PAK | D²PAK | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 24 V | 24 V | 24 V | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 90A, 10V | 5.8mOhm @ 90A, 10V | 5.8mOhm @ 90A, 10V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTB90 | NTB90 | NTB90 | NTB85 |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 85W (Tc) | 85W (Tc) | 85W (Tc) | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | 29 nC @ 4.5 V | 29 nC @ 4.5 V | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 90A (Ta) | 90A (Ta) | 90A (Ta) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2120 pF @ 20 V | 2120 pF @ 20 V | 2120 pF @ 20 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTB90N02G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTB90N02G - onsemi
NTBG080N120SC1ONsemiNTB85N03G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB90N03G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTBG015N065SC1ONsemiNTB90N02onsemiMOSFET N-CH 24V 90A D2PAKNTB90N02T4GonsemiMOSFET N-CH 24V 90A D2PAKNTB85N03T4onsemiMOSFET N-CH 28V 85A D2PAKNTB90N02T4 MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB85N03T4GonsemiMOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
NTBA104GU12NXP SemiconductorsNTB75N06T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB85N03onsemiMOSFET N-CH 28V 85A D2PAKNTB90N03GAMI Semiconductor/onsemiNTB90N02T4onsemiMOSFET N-CH 24V 90A D2PAKNTB85N03GonsemiMOSFET N-CH 28V 85A D2PAKNTB8H100GAMI Semiconductor/onsemiNTB88N02AMI Semiconductor/onsemiNTBG020N120SC1ONsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที