ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTD6414ANT4G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTD6414ANT4G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTD6414ANT4G
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 32A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1450 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 32A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTD6414 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTD6414ANT4G
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTD6414ANT4G | NTD6415ANLT4G | NTD60N02RT4G | NTD6414AN-1G |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | - | - | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 32A, 10V | 52mOhm @ 10A, 10V | 10.5mOhm @ 20A, 10V | 37mOhm @ 32A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | DPAK | DPAK | I-PAK |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTD6414 | NTD6415 | NTD60 | NTD64 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 25 V | 100 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1450 pF @ 25 V | 1024 pF @ 25 V | 1330 pF @ 20 V | 1450 pF @ 25 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | 83W (Tc) | 1.25W (Ta), 58W (Tc) | 100W (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 32A (Tc) | 23A (Tc) | 8.5A (Ta), 32A (Tc) | 32A (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 14 nC @ 4.5 V | 40 nC @ 10 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTD6414ANT4G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTD6414ANT4G - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที