ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTH027N65S3F-F155
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTH027N65S3F-F155 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTH027N65S3F-F155
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 7.5mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | FRFET®, SuperFET® II | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 27.4mOhm @ 35A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 595W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7690 pF @ 400 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 259 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTH027 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTH027N65S3F-F155
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTH027N65S3F-F155 | NTH0512MC | NTH027N65S3F##QQQQQQQQ | NTH04102PT1 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Murata Power Solutions Inc. | AMI Semiconductor/onsemi | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 27.4mOhm @ 35A, 10V | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 7.5mA | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTH027 | NTH05 | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | 26-SMD Module, 12 Leads | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 595W (Tc) | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 85°C | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | - | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 259 nC @ 10 V | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Tc) | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7690 pF @ 400 V | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | - | - |
| ชุด | FRFET®, SuperFET® II | NTH (2W) | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTH027N65S3F-F155 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTH027N65S3F-F155 - onsemi
NTH0512MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-12V 2WNTH027N65S3F##QQQQQQQQNTH04102PT1AMI Semiconductor/onsemiNTH05HC-32.768N/ANTH1212MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-12V 2WNTH1215MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-15V 2WNTH1209MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-9V 2W
NTH456AATPulse ElectronicsFIXED IND
NTH08HB3-30.000Pericom Semiconductor Corp. (Diodes Incorporated)NTH0515MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-15V 2WNTH441CTPulse ElectronicsNTH027N65S3FAMI Semiconductor/onsemiNTH437AGTPulse ElectronicsNTH03HC3-3.6864MHZSARNTH407BDGPulse ElectronicsNTH4L020N120SC1ONsemiNTH0505MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-5V 2WNTH1205MCMurata Power Solutions Inc.DC DC CONVERTER +/-5V 2W| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที