ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTHD2102PT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTHD2102PT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTHD2102PT1G
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ChipFET™ | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.4A, 4.5V | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.1W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 715pF @ 6.4V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16nC @ 2.5V | |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.4A | |
องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTHD21 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTHD2102PT1G
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTHD2102PT1G | NTHC5513T1G | NTHD2102PT1 | NTHC5513T1 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.4A | 2.9A, 2.2A | 3.4A | 2.9A, 2.2A |
ชุด | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 715pF @ 6.4V | 180pF @ 10V | 715pF @ 6.4V | 180pF @ 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTHD21 | NTHC5513 | NTHD21 | NTHC5513 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.1W | 1.1W | 1.1W | 1.1W |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16nC @ 2.5V | 4nC @ 4.5V | 16nC @ 2.5V | 4nC @ 4.5V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.4A, 4.5V | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | 58mOhm @ 3.4A, 4.5V | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8V | 20V | 8V | 20V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTHD2102PT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTHD2102PT1G - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที