ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTHL040N120SC1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTHL040N120SC1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTHL040N120SC1
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.3V @ 10mA | |
Vgs (สูงสุด) | +25V, -15V | |
เทคโนโลยี | SiCFET (Silicon Carbide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 348W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1781 pF @ 800 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 106 nC @ 20 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 20V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 60A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTHL040 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTHL040N120SC1
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTHL040N120SC1 | NTHL033N65S3HF | NTHL040N65S3F | NTHD5904NT1G |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTHL040 | NTHL033 | NTHL040 | NTHD59 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1781 pF @ 800 V | 6720 pF @ 400 V | 5940 pF @ 400 V | 465 pF @ 16 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 20V | 10V | 10V | 2.5V, 4.5V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.3V @ 10mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 6.5mA | 1.2V @ 250µA |
ชุด | - | FRFET®, SuperFET® III | SuperFET® III | - |
เทคโนโลยี | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | 8-SMD, Flat Lead |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 60A (Tc) | 70A (Tc) | 65A (Tc) | 2.5A (Ta) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs (สูงสุด) | +25V, -15V | ±30V | ±30V | ±8V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 106 nC @ 20 V | 188 nC @ 10 V | 158 nC @ 10 V | 6 nC @ 4.5 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1200 V | 650 V | 650 V | 20 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V | 33mOhm @ 35A, 10V | 40mOhm @ 32.5A, 10V | 65mOhm @ 3.3A, 4.5V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | ChipFET™ |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 348W (Tc) | 500W (Tc) | 446W (Tc) | 640mW (Ta) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTHL040N120SC1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTHL040N120SC1 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที