ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTK3139PT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTK3139PT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTK3139PT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±6V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-723 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 780mA, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 310mW (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-723 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 170 pF @ 16 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 660mA (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTK3139 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTK3139PT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTK3139PT1G | NTK3043NT1G | NTK3142PT1G | NTK3139PT1H |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Vgs (สูงสุด) | ±6V | ±10V | ±8V | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 780mA, 4.5V | 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V | 4Ohm @ 260mA, 4.5V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTK3139 | NTK3043 | NTK314 | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 170 pF @ 16 V | 11 pF @ 10 V | 15.3 pF @ 10 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-723 | SOT-723 | SOT-723 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | 1.65V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 660mA (Ta) | 210mA (Ta) | 215mA (Ta) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-723 | SOT-723 | SOT-723 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 310mW (Ta) | 310mW (Ta) | 280mW (Ta) | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTK3139PT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTK3139PT1G - onsemi
NTK3043NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 210MA SOT723NTK3139PT1G MOSAMI Semiconductor/onsemi
NTK350/16NELLIGBT ModuleNTK350/12NELLIGBT ModuleNTK3142PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 215MA SOT723NTK26/12NELLIGBT ModuleNTK3139PT1HonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORNTK3139PT5GonsemiMOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
NTK3134NT1HTexas Instruments0.75A, 20V, N-CHANNEL MOSFETNTK3043NT5GonsemiMOSFET N-CH 20V 210MA SOT723NTK3134NT1HonsemiMOSFET N-CH 20V 0.89A SOT723NTK3142PT5GonsemiMOSFET P-CH 20V 215MA SOT723NTK3142PT1HSanyoSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETNTK3134NT5GonsemiMOSFET N-CH 20V 750MA SOT723NTK3134NT5HonsemiMOSFET N-CH 20V 0.89A SOT723NTK3134NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 750MA SOT723NTK3139PTAMI Semiconductor/onsemiNTK26/16NELLIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที