ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTMD6601NR2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTMD6601NR2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTMD6601NR2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 215mOhm @ 2.2A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 600mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 400pF @ 25V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.1A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMD66 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTMD6601NR2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTMD6601NR2G | NTMD5836NLR2G | NTMD5838NLR2G | NTMD6P02R2 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMD66 | NTMD58 | NTMD5838 | NTMD6P |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.1A | 9A, 5.7A | 7.4A | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15nC @ 10V | 50nC @ 10V | 17nC @ 10V | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 600mW | 1.5W | 2.1W | - |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80V | 40V | 40V | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 215mOhm @ 2.2A, 10V | 12mOhm @ 10A, 10V | 25mOhm @ 7A, 10V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 400pF @ 25V | 2120pF @ 20V | 785pF @ 20V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTMD6601NR2G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTMD6601NR2G - onsemi
NTMD6N03R2G MOSAMI Semiconductor/onsemi
NTMD5838NVBSEMINTMD5836NLR2GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FLNTMD4N03R2G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMD5838NLR2GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOICNTMD6N03AMI Semiconductor/onsemiNTMD6P02R2onsemiMOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOICNTMD6N02R2GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOICNTMD6N04R2GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOICNTMD6N03R2GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICNTMD4N03R2GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOICNTMD6N03R2onsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICNTMD4N03R2onsemiMOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOICNTMD5836NLAMI Semiconductor/onsemiNTMD5838NLAMI Semiconductor/onsemiNTMD6N04AMI Semiconductor/onsemiNTMD6P02R2GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOICNTMD5838NLR2G MOSAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที