ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTMT095N65S3H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTMT095N65S3H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTMT095N65S3H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 2.8mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-TDFN (8x8) | |
| ชุด | SuperFET® III | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 15A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 208W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-PowerTSFN | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2833 pF @ 400 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTMT095N65S3H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTMT095N65S3H | NTMTSC002N10MCTXG | NTMSD6N303R2G | NTMS7N03R2 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2833 pF @ 400 V | 6305 pF @ 50 V | 950 pF @ 24 V | 1190 pF @ 25 V |
| ชุด | SuperFET® III | - | FETKY™ | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-PowerTSFN | 8-PowerTDFN | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 100 V | 30 V | 30 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Tc) | 45A (Ta), 236A (Tc) | 6A (Ta) | 4.8A (Ta) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 15A, 10V | 2mOhm @ 90A, 10V | 32mOhm @ 6A, 10V | 23mOhm @ 7A, 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 2.8mA | 4V @ 520µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-TDFN (8x8) | 8-TDFNW (8.3x8.4) | 8-SOIC | 8-SOIC |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 208W (Tc) | 9W (Ta), 255W (Tc) | 2W (Ta) | 800mW (Ta) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount | Surface Mount |
| คุณสมบัติ FET | - | - | Schottky Diode (Isolated) | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTMT095N65S3H PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTMT095N65S3H - onsemi
NTMTSC002N10MCTXGonsemiMOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNWNTMSD6N303R2GonsemiMOSFET N-CH 30V 6A 8SOICNTMS7N03R2onsemiMOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOICNTMS5P02R2G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMTS0D7N06CLTXGonsemiMOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNWNTMSD2P102R2onsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOICNTMS5P02R2onsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOICNTMSD2P102LR2onsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOICNTMS7N03R2R2GAMI Semiconductor/onsemiNTMS5P02R2GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOICNTMT090N65S3HFonsemiPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFENTMSD3P303R2GonsemiMOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOICNTMS7N03R2GonsemiMOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOICNTMSD6N303R2SGonsemiMOSFET N-CH 30V 6A 8SOICNTMSD3P102R2onsemiMOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
NTMSD3P303R2onsemiMOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOICNTMSD3P102R2SGonsemiMOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOICNTMSD6N303R2onsemiMOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที