ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTP5860NG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTP5860NG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTP5860NG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 283W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 10760 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 220A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTP5860NG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTP5860NG | NTP60N06 | NTP5412NG | NTP5D0N15MC |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | PowerTrench® |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 532µA |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 10760 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V | 6300 pF @ 75 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 220A (Tc) | 60A (Ta) | 60A (Tc) | 15A (Ta), 139A (Tc) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V | 5mOhm @ 97A, 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V | 85 nC @ 0 V | 75 nC @ 10 V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 283W (Tc) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) | 125W (Tc) | 2.4W (Ta), 214W (Tc) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 150 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTP5860NG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTP5860NG - onsemi
NTP60N06onsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
NTP53121G0JHKZNXP USA Inc.RFID NTAG5 XQFNNTP5412NGonsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABNTP5D0N15MConsemiMOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220NTP52N10GonsemiMOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
NTP53121G0JHKFreescale / NXP SemiconductorsNTP5411NGonsemiMOSFET N-CH 60V 80A TO220ABNTP5864NGonsemiMOSFET N-CH 60V 63A TO220ABNTP52N10onsemiMOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
NTP5864NAMI Semiconductor/onsemiNTP5404NRGonsemiMOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220ABNTP5863NAMI Semiconductor/onsemiNTP5426NGonsemiMOSFET N-CH 60V 120A TO220ABNTP5863NGonsemiMOSFET N-CH 60V 97A TO220ABNTP5860NLGonsemiMOSFET N-CH 60V 220A TO220ABNTP5860NLVBsemiNTP60N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABNTP53321G0JHKZNXP Semiconductors| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที