ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTP75N06
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTP75N06 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTP75N06
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 37.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta), 214W (Tj) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4510 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTP75N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTP75N06
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTP75N06 | NTP75N06G | NTP75N03RG | NTP75N03-006 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTP75N | NTP75N | NTP75N | NTP75N |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 37.5A, 10V | 9.5mOhm @ 37.5A, 10V | 8mOhm @ 20A, 10V | 6.5mOhm @ 37.5A, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 25 V | 30 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 13.2 nC @ 5 V | 75 nC @ 5 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4510 pF @ 25 V | 4510 pF @ 25 V | 1333 pF @ 20 V | 5635 pF @ 25 V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta), 214W (Tj) | 2.4W (Ta), 214W (Tj) | 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Ta) | 75A (Ta) | 9.7A (Ta) | 75A (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTP75N06 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTP75N06 - onsemi
NTP75N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 75A TO220ABNTP75N03RGonsemiMOSFET N-CH 25V 9.7A TO220ABNTP75N03-006onsemiMOSFET N-CH 30V 75A TO220ABNTP85N03GonsemiMOSFET N-CH 28V 85A TO220ABNTP75N03RonsemiMOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
NTP8835NEOFIDELITYNTP75N03L09onsemiMOSFET N-CH 30V 75A TO220ABNTP7515NEOFIDENTP8212NEOFIDENTP8214GNFNTP8810NEOFIDELITYNTP7515DNEOFIDENTP75N03-6GonsemiMOSFET N-CH 30V 75A TO220ABNTP75N03L09GonsemiMOSFET N-CH 30V 75A TO220ABNTP7514NFNTP8230GNEOFIDELITYINCNTP85N03onsemiMOSFET N-CH 28V 85A TO220ABNTP8212GNEOFIDE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที