ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTS2101PT1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTS2101PT1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTS2101PT1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-3 (SOT323) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1A, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 290mW (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 640 pF @ 8 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.4A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTS210 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTS2101PT1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTS2101PT1 | NTS2101PT1G | NTS245ESFT1G | NTS2101P |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | AMI Semiconductor/onsemi | AMI Semiconductor/onsemi |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V | 6.4 nC @ 5 V | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-3 (SOT323) | SC-70-3 (SOT323) | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 290mW (Ta) | 290mW (Ta) | - | - |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±8V | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8 V | 8 V | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1A, 4.5V | 100mOhm @ 1A, 4.5V | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 640 pF @ 8 V | 640 pF @ 8 V | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.4A (Ta) | 1.4A (Ta) | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTS210 | NTS2101 | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTS2101PT1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTS2101PT1 - onsemi
NTS245ESFT1GAMI Semiconductor/onsemiNTS2101PAMI Semiconductor/onsemiNTS12120EMFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFNNTS260ESFT3GONsemiNTS2101PT1GonsemiMOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
NTS260ESFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FL
NTS1124NNTSNTS3904DXV6T1GAMI Semiconductor/onsemiNTS245SFT3GONsemiNTS260SFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FLNTS12120MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFNNTS12120EMFSAMI Semiconductor/onsemiNTS1308UNEXTCHIPNTS1214SNEXTCHIPNTS260SFT3GONsemiNTS245SFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 2A SOD123FLNTS1108NNTSNTS12100EMFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 12A 5DFN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที