ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTSB30100S-1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTSB30100S-1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTSB30100S-1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK (TO-262) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTSB30100 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTSB30100S-1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTSB30100S-1G | NTSB40120CTT4G | NTSAF545T3G | NTSD1XH103FPB30 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Murata Power Solutions |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | - | Schottky | - |
| ชุด | - | * | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | - | 45 V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | - | DO-221AC, SMA Flat Leads | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 150°C | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Surface Mount | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTSB30100 | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | - | 5A | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK (TO-262) | - | SMA-FL | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 30 A | - | 600 mV @ 5 A | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 100 V | - | 9.5 µA @ 45 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTSB30100S-1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTSB30100S-1G - onsemi
NTSB40120CTT4GonsemiRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHANTSD1XH103FPB30Murata Power SolutionsNTSE0103FZ552HTHINKINGNTSB30U100CTGONsemiNTSB30U100CT-1GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
NTSB20100CTT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAKNTSB40200CTT4GonsemiDIODE SCHOTTKY 200V 40A D2PAKNTSB20120CTT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 120V D2PAKNTSB30120CT-1GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAKNTSAF5100T3GAMI Semiconductor/onsemiNTSB20100CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAKNTSB40120CT-1GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAKNTSB30100CTT4GONsemiNTSAF545T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 5A SMA-FLNTSA4100T3GAMI Semiconductor/onsemiNTSB30100CT-1GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAKNTSB40100CTT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAKNTSB20100CT-1GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที