ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTTFS5826NLTWG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTTFS5826NLTWG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTTFS5826NLTWG
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.1W (Ta), 19W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 850 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTTFS5 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTTFS5826NLTWG
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTTFS5826NLTWG | NTTFS6H850NLTAG | NTTFS4H07NTAG | NTTFS5C453NLTAG |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTTFS5 | NTTFS6 | NTTFS4 | NTTFS5 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 80 V | 25 V | 40 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.1W (Ta), 19W (Tc) | 3.9W (Ta), 73W (Tc) | 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) | 3.3W (Ta), 68W (Tc) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Ta) | 14.8A (Ta), 64A (Tc) | 18.5A (Ta), 66A (Tc) | 23A (Ta), 107A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ชุด | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 850 pF @ 25 V | 1450 pF @ 40 V | 771 pF @ 12 V | 2100 pF @ 25 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 10V | 8.6mOhm @ 10A, 10V | 4.8mOhm @ 30A, 10V | 3mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 2V @ 70µA | 2.1V @ 250µA | 2V @ 250µA |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 12.4 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-WDFN (3.3x3.3) | 8-WDFN (3.3x3.3) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTTFS5826NLTWG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTTFS5826NLTWG - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที