ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NVBG040N120SC1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NVBG040N120SC1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NVBG040N120SC1
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.3V @ 10mA | |
Vgs (สูงสุด) | +25V, -15V | |
เทคโนโลยี | SiCFET (Silicon Carbide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK-7 | |
ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 357W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1789 pF @ 800 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 106 nC @ 20 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 20V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 60A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NVBG040 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NVBG040N120SC1
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | NVBG040N120SC1 | NVB082N65S3F | BTS113AE3045ANTMA1 | NVB25P06T4G |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Infineon Technologies | onsemi |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 60A (Tc) | 40A (Tc) | 11.5A (Tc) | 27.5A (Ta) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 357W (Tc) | 313W (Tc) | 40W (Tc) | 120W (Tj) |
เทคโนโลยี | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NVBG040 | NVB082 | - | NVB25P |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1200 V | 650 V | 60 V | 60 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V | 82mOhm @ 20A, 10V | 170mOhm @ 5.8A, 4.5V | 82mOhm @ 25A, 10V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 20V | 10V | 4.5V | 10V |
Vgs (สูงสุด) | +25V, -15V | ±30V | ±10V | ±15V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.3V @ 10mA | 5V @ 4mA | 2.5V @ 1mA | 4V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1789 pF @ 800 V | 3410 pF @ 400 V | 560 pF @ 25 V | 1680 pF @ 25 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | TEMPFET® | Automotive, AEC-Q101 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK-7 | D²PAK-3 (TO-263-3) | TO-220AB | D²PAK |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 106 nC @ 20 V | 81 nC @ 10 V | - | 50 nC @ 10 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NVBG040N120SC1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NVBG040N120SC1 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที