ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NVHL027N65S3F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NVHL027N65S3F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NVHL027N65S3F
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 3mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 27.4mOhm @ 35A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 595W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7780 pF @ 400 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 227 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NVHL027 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NVHL027N65S3F
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | NVHL027N65S3F | NVHL040N120SC1 | NTB5605PT4G | NVHL110N65S3F |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Tc) | 60A (Tc) | 18.5A (Ta) | 30A (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 1200 V | 60 V | 650 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | D²PAK | TO-247-3 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 27.4mOhm @ 35A, 10V | 56mOhm @ 35A, 20V | 140mOhm @ 8.5A, 5V | 110mOhm @ 15A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7780 pF @ 400 V | 1781 pF @ 800 V | 1190 pF @ 25 V | 2560 pF @ 400 V |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | +25V, -15V | ±20V | ±30V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-247-3 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 595W (Tc) | 348W (Tc) | 88W (Tc) | 240W (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NVHL027 | NVHL040 | NTB5605 | NVHL110 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 3mA | 4.3V @ 10mA | 2V @ 250µA | 5V @ 3mA |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 227 nC @ 10 V | 106 nC @ 20 V | 22 nC @ 5 V | 58 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 20V | 5V | 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NVHL027N65S3F PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NVHL027N65S3F - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที